STP11NK50Z modeli, ağırlıklı olarak elektrikli araç şarj tesislerinde kullanılan, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek performanslı bir elektronik bileşendir. Bu model, güvenli ve hızlı bir şarj işlemi sağlamak için verimli ve istikrarlı bir güç kaynağı sağlayacak şekilde tasarlanmıştır.
Özellikler
STP11NK50Z, aşağıdaki özelliklere sahip, yüksek güçlü bir IGBT (Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör) modülüdür:
1. Yüksek güç tüketimi: Bu modelin güç tüketimi, yüksek güçlü uygulama senaryolarına uygun olan 125 watt'a ulaşabilir.
2. Düşük empedans: Rds On Max, verimli güç kaynağı sağlayabilen 520 miliohm'dur.
3. Hızlı yanıt: STP11NK50Z, 18 nanosaniyelik yanıt süresine sahiptir ve güç ihtiyaçlarına hızla yanıt verebilir.
4. Yüksek sıcaklıkta çalışma: Bu modelin çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ila 150°C olup, yüksek sıcaklıktaki ortamlardaki uygulamalar için uygundur.
5. Yüksek gerilime dayanıklılık: Bu model, 500 voltluk gerilime dayanma kapasitesine sahiptir ve yüksek gerilimli ortamlara dayanabilir.
Ürün uygulaması
STP11NK50Z model ürünler, elektrikli araç şarj tesislerinde başlıca aşağıdakileri içeren önemli bir rol oynamaktadır:
1. Şarj kontrolü: Bu ürün modeli, şarj işleminin güvenliğini ve hızını sağlamak için şarj işlemi sırasında güç kaynağını kontrol edebilir.
2. Kararlı güç kaynağı: STP11NK50Z, şarj işleminin sürekliliğini sağlamak için kararlı güç kaynağı sağlayabilir.
3. Verimli şarj: Bu modelin yüksek güç tüketimi ve düşük empedans özellikleri, şarj verimliliğini artırabilir ve şarj süresini kısaltabilir.
Ürün teknik detayları
STP11NK50Z model ürünün teknik detayları aşağıdaki gibidir:
- Mutlak Maksimumlar: VDS 500 volt, VGS ±30 volt, ID 10 amper (sürekli), PTOT 125 watt.
- Termal özellikler: Rthj-durumu 1,4°C/W, Rthj-a 62,5°C/W, Tl ise 300°C'dir.
- ESD toleransı: Bu modelin ESD toleransı 4000 volttur.
Sonuç olarak
STP11NK50Z model ürün, şarj işleminin güvenliğini ve hızını sağlamak için verimli ve istikrarlı güç kaynağı sağlayarak elektrikli araç şarj tesislerinde önemli bir rol oynamaktadır. Bu modelin yüksek güç tüketimi, düşük empedans ve hızlı yanıt özellikleri, şarj verimliliğini artırabilir ve şarj süresini kısaltabilir. Aynı zamanda bu modelin yüksek gerilime dayanma kabiliyeti ve yüksek sıcaklıkta çalışma kabiliyeti, şarj tesislerinin karmaşık ortamına da uyum sağlayabilmektedir.
Sorumluluk Reddi: Bu sayfada verilen bilgiler yalnızca bilgilendirme amaçlıdır ve bilgilerin doğruluğunu veya eksiksizliğini garanti etmiyoruz ve kullanımından kaynaklanan herhangi bir kayıp veya hasar için sorumluluk kabul etmiyoruz.
TJA1042T/1J modeli, otomotiv endüstrisindeki yüksek hızlı CAN uygulamaları için tasarlanmış yüksek hızlı bir CAN alıcı-vericisidir. NXP Semiconductors tarafından üretilen ürün, yüksek performanslı elektromanyetik uyumluluk (EMC) ve elektrostatik deşarj (ESD) performansına sahiptir. TJA1042T/1J modeli, Denetleyici Alan Ağı (CAN) protokol denetleyicisi ile fiziksel iki kablolu CAN veri yolu arasında bir arayüz sağlayarak CAN veri yolu iletişimlerinde önemli bir rol oynar.
Aug 11, 2024STLM75DS2F, esas olarak bir boşluk sıcaklık sensörü ve 9 bitlik bir ADC'den oluşan yüksek hassasiyetli bir dijital sıcaklık sensörü ve termal monitördür. Cihaz, sıcaklığı 0,5°C çözünürlükle izleyebilir ve sayısallaştırabilir. STLM75DS2F, hasta güvenliğini sağlamak için tıbbi ekipmanlarda önemli bir rol oynar.
Aug 11, 2024STM32F415VGT6 modeli, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek performanslı bir mikro denetleyicidir. Temel olarak akıllı giyilebilir cihazlarda kişiselleştirilmiş sağlık yönetimi sağlamak için kullanılır. Bu model, güçlü bilgi işlem yeteneklerine ve zengin çevresel arayüzlere sahip olup akıllı giyilebilir cihazların karmaşık ihtiyaçlarını karşılayabilmektedir.
Aug 11, 2024M93C56-WMN6TP modeli, endüstriyel otomasyon kontrolü alanında birçok avantaja sahip, elektriksel olarak silinebilir, programlanabilir salt okunur bir bellektir (EEPROM). Bu alandaki uygulamaları ve avantajları aşağıda detaylı olarak ele alınacaktır.
Aug 11, 2024